企业简介
西安芯派电子科技有限公司 main business:电子元器件及相关产品、计算机软、硬件及网络产品、电子生物科技产品的开发、生产、销售及技术转让、技术服务；货物和技术的进出口经营（国家禁止和限制的进出口货物、技术除外）。(以上经营范围凡涉及国家有专项专营规定的从其规定) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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西安芯派电子科技有限公司的工商信息
- 91610131673291519J
- 91610131673291519J
- 存续
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2008-07-18
- 罗义
- 2030.4569万
- 2008-07-18 至 永久
- 西安市工商行政管理局高新分局
- 西安市高新区天谷八路211号环普科技产业园E101室
- 电子元器件及相关产品、计算机软、硬件及网络产品、电子生物科技产品的开发、生产、销售及技术转让、技术服务；货物和技术的进出口经营（国家禁止和限制的进出口货物、技术除外）。(以上经营范围凡涉及国家有专项专营规定的从其规定)
西安芯派电子科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 3985783 |  |
SAMWIN | 2004-03-30 | 硅外延片；印刷电路；集成电路；集成电路块；半导体器件；电动调节设备；控制板(电)；照明设备用镇流器；家用遥控器；电视荧光屏 | 查看详情 |
西安芯派电子科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106206551A | 一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法，包括硅外延层，硅外延层外依 |
| 2 | CN106206741A | 一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构及其制备方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构及其制备方法，包括有源区结构，有源区结构包括衬底 |
| 3 | CN205985001U | 一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构 | 2017.02.22 | 本实用新型公开了一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构，包括有源区结构，有源区结构包括衬底，衬底上 |
| 4 | CN205984979U | 一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET | 2017.02.22 | 本实用新型公开了一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET，包括硅外延层，硅外延层外依次设置有 |
| 5 | CN106373927A | 一种插件封装件 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种插件封装件，通过在塑封外壳下端设有凸台，在焊接时，直接将管脚插入PCB的焊盘孔里，使 |
| 6 | CN104142463B | 一种场效应晶体管TSP参数的提取方法 | 2016.09.07 | 本发明一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，步骤如下，1)将待测场效应晶体管与电压测量单元采用开尔文 |
| 7 | CN103700697B | 纵向超结金属氧化物场效应晶体管 | 2016.05.25 | 本发明纵向超结金属氧化物场效应晶体管，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型 |
| 8 | CN204179086U | 一种具有自隔离的半导体结构 | 2015.02.25 | 本实用新型一种具有自隔离的半导体结构，包括N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部设有 |
| 9 | CN204177921U | 一种MOSFET恒功率老化对比测试台 | 2015.02.25 | 本实用新型一种MOSFET恒功率老化对比测试台，包括若干级联设置的老化测试电路；老化测试电路包括供电 |
| 10 | CN204031001U | 一种逆变电源 | 2014.12.17 | 本实用新型一种逆变电源，包括连接直流输入的反接保护电路，以及依次连接在反接保护电路输出端的推挽升压电 |
| 11 | CN204009911U | 场效应晶体管SOA曲线的验证平台 | 2014.12.10 | 本实用新型场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测 |
| 12 | CN104157689A | 一种具有自隔离的半导体结构 | 2014.11.19 | 本发明一种具有自隔离的半导体结构，包括N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部设有P型 |
| 13 | CN104142463A | 一种场效应晶体管TSP参数的提取方法 | 2014.11.12 | 本发明一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，步骤如下，1)将待测场效应晶体管与电压测量单元采用开尔文 |
| 14 | CN104090223A | 场效应晶体管SOA曲线的验证平台及测试方法 | 2014.10.08 | 本发明场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、监控单元和功率源；控制单元包括单片机，开关，依 |
| 15 | CN203859338U | 一种抑制浪涌电压和电流的插排 | 2014.10.01 | 本实用新型一种抑制浪涌电压和电流的插排包括壳体，输出插座，输入线，电流过载继电器和抑制浪涌模块；输入 |
| 16 | CN203733802U | 一种具有超结结构的半导体器件 | 2014.07.23 | 本实用新型一种具有超结结构的半导体器件，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和内部设有第一P型填 |
| 17 | CN203690304U | 纵向超结金属氧化物场效应晶体管 | 2014.07.02 | 本实用新型纵向超结金属氧化物场效应晶体管，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层； |
| 18 | CN103779399A | 一种具有超结结构的半导体器件 | 2014.05.07 | 本发明一种具有超结结构的半导体器件，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和内部设有第一P型填充阱 |
| 19 | CN103700697A | 纵向超结金属氧化物场效应晶体管 | 2014.04.02 | 本发明纵向超结金属氧化物场效应晶体管，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型 |
| 20 | CN203038897U | 一种塑封IC开封装置 | 2013.07.03 | 本实用新型提供了一种塑封IC开封装置，包括塑封IC、对塑封IC进行腐蚀的腐蚀装置，以及对塑封IC进行 |
| 21 | CN203013469U | 降低开关电源EMI干扰的变压器及包含该变压器的反激开关电源 | 2013.06.19 | 本实用新型提供了一种降低开关电源EMI干扰的变压器及包含该变压器的反激开关电源，所述变压器包括初级绕 |
| 22 | CN202956475U | 继电器检测装置 | 2013.05.29 | 本实用新型所述的继电器检测装置，涉及一种检测装置，特别涉及一种用于测试继电器的检测装置。本实用新型所 |
| 23 | CN202939274U | 三极管SOA曲线测试系统 | 2013.05.15 | 本实用新型所述的三极管SOA曲线测试系统，涉及一种电子元件的测试装置，特别涉及一种三极管SOA特性曲 |
| 24 | CN202940895U | 一种待机微功耗LCD/LED电视电源 | 2013.05.15 | 本实用新型所述的一种待机微功耗LCD/LED电视电源，涉及一种供电装置，特别涉及一种待机微功耗LCD |
| 25 | CN103065936A | 一种塑封IC开封方法 | 2013.04.24 | 本发明提供了一种塑封IC开封方法，首先按照体积比为3:1将硝酸和硫酸配成混合酸液，加热至50~80℃ |
| 26 | CN202320115U | 一种智能公交车载终端 | 2012.07.11 | 一种智能公交车载终端，包括公交车载终端，公交车载终端通过调度器支架安装在支架底座板上，支架底座板的下 |
| 27 | CN201967230U | 全数字式HID安定器 | 2011.09.07 | 本实用新型提供一种全数字式HID安定器，由EMI滤波电路，极性反接保护电路，MCU控制器芯片，DC/ |
| 28 | CN201577042U | 一种新型的单线取电多路控制墙壁遥控开关 | 2010.09.08 | 本实用新型提供一种新型的单线取电多路控制墙壁遥控开关，包含了操作控制单元，单线取电电路，ADC模数转 |
| 29 | CN201570707U | 一种智能遥控插座 | 2010.09.01 | 本实用新型提供一种智能遥控插座，包含单片机控制电路、电流监测单元、插座电源切断控制电路、射频控制电路 |
| 30 | CN201570114U | 一键全关遥控器 | 2010.09.01 | 本实用新型提供一键全关遥控器，包含了操作控制单元，射频收发单元，存储单元和单片机控制器，其特征是操作 |
| 31 | CN201563055U | 一种新型的开关电源控制集成芯片 | 2010.08.25 | 本实用新型提供一种新型的开关电源控制集成芯片，内置振荡信号控制器OSC，启动控制电路、热保护电路、斜 |
| 32 | CN301271550S | 智能遥控外壳(一键全关) | 2010.06.23 | 外观设计名称：智能遥控外壳(一键全关)。在房间内墙壁上安装，用于控制房间内的灯具；主视图表面采用正方 |
| 33 | CN301263024S | 智能遥控插座外壳 | 2010.06.16 | 外观设计名称：智能遥控插座外壳。在房间内墙壁上安装，用于控制房间内的灯具；主视图外环部分采用正方形水 |
| 34 | CN301263348S | 固定式遥控器外壳 | 2010.06.16 | 1.外观设计名称：固定式遥控器外壳。2.整体采用圆形造型，共设置五个按键，外部四个按键采用扇环形，中 |
| 35 | CN301263023S | 智能遥控开关外壳(一) | 2010.06.16 | 外观设计名称：智能遥控开关外壳(一)。在房间内墙壁上安装，用于控制房间内的灯具；主视图表面采用正方形 |
| 36 | CN301263025S | 智能遥控开关外壳(二) | 2010.06.16 | 外观设计名称：智能遥控开关外壳(二)。在房间内墙壁上安装，用于控制房间内的灯具；主视图表面采用弧线形 |
| 37 | CN201430141Y | 一种新型的高压MOS管 | 2010.03.24 | 本实用新型提供一种新型的高压MOS管，包括漏极区域1，N+衬底区域2，N-漂移区域3，P-阱区域4， |
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